고속 스위치 사이리스터

설명:

고속 스위치 사이리스터는 위상 제어 사이리스터와 동일한 구조 및 기호를 가지며 더 나은 정적 특성, 특히 정류, 초핑, 인버터 및 주파수 변환 회로의 고주파 응용에 필요한 동적 특성이 필요합니다.고속 사이리스터의 동적 매개변수는 빠른 켜기 속도 및 켜기 확장 속도, 적은 역회복 전하 및 짧은 끄기 시간, 높은 온 상태 전류(di/dt)의 임계 상승률 및 오프 상태 전압의 상승(dv/dt).정격 주파수 내에서 고속 사이리스터의 정격 전류는 주파수가 증가해도 감소하지 않거나 약간 감소합니다.

RUNAU Electronics의 빠른 스위치 사이리스터 제조 표준 및 가공 기술은 1980년대부터 미국에서 소개되었으며, 중국에서 사이리스터 제조의 선구자로서 RUNAU의 기술 팀은 30년 이상의 최첨단 지식과 풍부한 제조 경험을 획득했습니다.전통적인 제조 공정을 기반으로 RUNAU Electronics의 인재 기술자들은 유럽 제품의 장점을 가진 사이리스터 제조에서 최첨단 기술을 개발했으며 품질과 성능이 크게 향상되어 전력 전자 응용 분야에서 더 큰 승리를 거두었습니다. 파트너를 위해 더 많은 가치가 창출되었습니다.

소개:

1. 칩

RUNAU Electronics에서 제조한 사이리스터 칩은 소결 합금 기술을 사용합니다.실리콘 및 몰리브덴 웨이퍼는 고진공 및 고온 환경에서 순수 알루미늄(99.999%)에 의한 합금화를 위해 소결되었습니다.소결 특성의 관리는 사이리스터의 품질에 영향을 미치는 핵심 요소입니다.RUNAU Electronics의 노하우는 합금 접합 깊이, 표면 평탄도, 합금 캐비티뿐만 아니라 전체 확산 기술, 링 서클 패턴, 특수 게이트 구조를 관리합니다.또한 소자의 캐리어 수명을 줄이기 위해 특수한 처리를 하여 내부 캐리어 재결합 속도를 크게 높이고 소자의 역회복 전하를 줄여 결과적으로 스위칭 속도를 향상시켰습니다.이러한 측정은 빠른 스위칭 특성, 온 상태 특성 및 서지 전류 특성을 최적화하기 위해 적용되었습니다.사이리스터의 성능 및 전도 작동은 안정적이고 효율적입니다.

2. 캡슐화

몰리브덴 웨이퍼와 외부 패키지의 평탄도와 평행도를 엄격히 제어함으로써 칩과 몰리브덴 웨이퍼는 외부 패키지와 견고하고 완벽하게 통합됩니다.이는 서지 전류 및 높은 단락 전류의 저항을 최적화합니다.전자 증발 측정 기술을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 두꺼운 알루미늄 필름을 만들고 몰리브덴 표면에 도금된 루테늄 층은 열 피로 저항을 크게 향상시켜 고속 스위치 사이리스터의 작업 수명을 크게 늘릴 것입니다.

기술 사양

1. RUNAU Electronics에서 제조한 합금형 칩이 있는 고속 스위치 사이리스터, I 범위_타브200A에서 4000A 및 V_DRM/V_RRM1200V에서 4500V까지.
2. I_GT, V_GT그리고 나_H는 25℃에서의 시험값이며, 별도의 언급이 없는 한 기타 모든 항목은 T에서의 시험값임_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= 정현파 반파 전류 베이스 폭.50Hz에서 나는²t=0.005I²FSM(A²에스);
4. 60Hz에서: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;나²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

매개변수: