고속 스위치 사이리스터(높은 표준 YC 시리즈)

설명

GE 제조 표준 및 가공 기술은 1980년대부터 RUNAU Electronics에 도입되어 사용되었습니다.완전한 제조 및 테스트 조건은 미국 시장 요구 사항과 완전히 일치했습니다.중국 사이리스터 제조의 선구자로서 RUNAU Electronics는 미국, 유럽 국가 및 글로벌 사용자에게 국가 전력 전자 장치의 기술을 제공했습니다.클라이언트가 높은 자격을 갖추고 평가했으며 파트너를 위해 더 큰 승리와 가치가 창출되었습니다.

소개:

1. 칩

RUNAU Electronics에서 제조한 사이리스터 칩은 소결 합금 기술을 사용합니다.실리콘 및 몰리브덴 웨이퍼는 고진공 및 고온 환경에서 순수 알루미늄(99.999%)에 의한 합금화를 위해 소결되었습니다.소결 특성의 관리는 사이리스터의 품질에 영향을 미치는 핵심 요소입니다.RUNAU Electronics의 노하우는 합금 접합 깊이, 표면 평탄도, 합금 캐비티뿐만 아니라 전체 확산 기술, 링 서클 패턴, 특수 게이트 구조를 관리합니다.또한 소자의 캐리어 수명을 줄이기 위해 특수한 처리를 하여 내부 캐리어 재결합 속도를 크게 높이고 소자의 역회복 전하를 줄여 결과적으로 스위칭 속도를 향상시켰습니다.이러한 측정은 빠른 스위칭 특성, 온 상태 특성 및 서지 전류 특성을 최적화하기 위해 적용되었습니다.사이리스터의 성능 및 전도 작동은 안정적이고 효율적입니다.

2. 캡슐화

몰리브덴 웨이퍼와 외부 패키지의 평탄도와 평행도를 엄격히 제어함으로써 칩과 몰리브덴 웨이퍼는 외부 패키지와 견고하고 완벽하게 통합됩니다.이는 서지 전류 및 높은 단락 전류의 저항을 최적화합니다.전자 증발 측정 기술을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 두꺼운 알루미늄 필름을 만들고 몰리브덴 표면에 도금된 루테늄 층은 열 피로 저항을 크게 향상시켜 고속 스위치 사이리스터의 작업 수명을 크게 늘릴 것입니다.

기술 사양

1. RUNAU Electronics에서 제조한 합금형 칩이 있는 고속 스위치 사이리스터는 미국 표준의 완전한 제품을 제공할 수 있습니다.
2. I_GT, V_GT그리고 나_H는 25℃에서의 시험값이며, 별도의 언급이 없는 한 기타 모든 항목은 T에서의 시험값임_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= 정현파 반파 전류 베이스 폭.50Hz에서 나는²t=0.005I²FSM(A²에스);
4. 60Hz에서: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;나²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

매개변수: