사이리스터 전력 모듈

설명:

사이리스터 모듈은 특수 패키지 모드이며 위상 제어 사이리스터와 동일한 속성을 가지고 있습니다.위상 제어 사이리스터와 동일한 원리로 사이리스터 모듈도 3개의 PN 접합과 3개의 외부 전극이 있는 4층 재료로 구성된 전력 반도체 소자입니다.P형 반도체의 첫 번째 층에서 나오는 전극 리드는 anode-A이고, P형의 세 번째 층에서 나오는 전극 리드는 제어 전극 gate-G이며, N형 반도체의 네 번째 층에서 나오는 전극 리드는 음극-A이다. 케이.정적 특성, 특히 동적 특성이 더 좋다는 장점이 있습니다.여기, 전기 도금, 전기 분해, 전기 용접, 플라즈마 아크 드로잉, 충전 및 방전, 전압 안정화에 적절하게 적용됩니다.또한 AC 모터 소프트 스타트 및 DC 모터 속도 조절에도 사용할 수 있습니다.

소개:

1. RUNAU Electronics에서 생산하는 사이리스터 모듈의 패키지 구조는 압축 및 납땜 구조입니다.평균 전류가 160A 이상인 경우 압축 구조 사이리스터 모듈을 적극 권장합니다.
2. 낮은 VTM, 작은 전력 소비 및 높은 변환 효율로 미국 제조 표준에 따라 생산된 사이리스터 칩.
3. 평탄도가 높은 DCB 및 ALN 기판은 사이리스터 칩과의 압축 결합의 강도와 안정성, 우수한 열전도율, 빠른 방열, 서지 전류 및 전압의 높은 내충격성을 보장합니다.
4. 베이스 플레이트는 사람의 안전을 보호하기 위해 2500V에서 절연 및 절연 레벨입니다.
5. 압축 구조 모듈의 모듈 모양이 더 아름답습니다.작은 크기, 적은 무게, 설치 및 유지 관리가 용이합니다.
6. 수명 성능, 작업 효율 및 특성이 솔더 구조 모듈보다 높습니다.
7. T 시리즈의 유러피언 모드 모듈 패키지를 제공할 수 있습니다.

기술 사양：

1. RUNAU Electronics에서 제조한 압축 구조의 사이리스터 모듈, I 범위_타브90A에서 1000A 및 V_DRM/V_RRM1200V에서 4500V까지.
2. 모듈 I의 냉각 모드_타브350A 미만은 공냉이고 400A 이상은 적용 요구 사항에 따라 공냉 또는 수냉입니다.
3. 사이리스터 모듈이 안전한 상태에서 정상적인 성능을 발휘하도록 하기 위해 선택한 사이리스터 모듈의 전류는 부하 특성 외에 정격 부하 전류의 2~3배를 권장합니다.
4. 공랭식 방열판에 사이리스터 모듈을 설치하면 모듈 베이스 플레이트와 방열판 표면 사이에 열 실리카 그리스를 고르게 도포하는 것이 좋습니다.방열판에 모듈을 고정하기 위한 4개의 볼트의 조임력은 방열 성능을 보장하기 위해 모듈 베이스 플레이트와 방열판의 표면이 견고하게 결합되도록 균일해야 합니다.

연결 회로

매개변수:

와이팩^TM시리즈 높은 표준 사이리스터 모듈

와이팩^TM시리즈 높은 표준 사이리스터 모듈은 YA 및 YC 시리즈 칩과 함께 패키지됩니다.이 장치는 요구 사항과 성능이 더 높은 사용자를 위해 설계되었습니다.