설명:

정방형 사이리스터 칩은 사이리스터 칩의 일종으로 게이트, 음극, 실리콘 웨이퍼, 양극 등 3개의 PN 접합이 있는 4층 반도체 구조이다.음극, 실리콘 웨이퍼 및 양극은 모두 평평하고 사각형 모양입니다.실리콘 웨이퍼의 한 면에는 음극이 부착되고 다른 면에는 양극이 부착되며 음극에는 리드 구멍이 뚫려 있고 그 구멍에는 게이트가 배열되어 있습니다.게이트, 캐소드 및 애노드 표면은 솔더 재료로 라이닝되어 있습니다.주요 생산 공정에는 실리콘 웨이퍼 세정, 확산, 산화, 포토리소그래피, 부식, 패시베이션 보호, 금속화, 테스트 및 다이싱이 포함됩니다.

생산 포트폴리오:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

게이트 유형:

• 삼각형 코너 게이트: ITAV=25A~60A

• 원형 중앙 게이트: ITAV=110A~200A

구조:

• 더블 메사

• 금속화된 양극은 다층 금속 TiNiAg 또는 Al+TiNiAg입니다.

• 금속화된 음극층은 Al 또는 TiNiAg입니다.

특징:

• 분산 알루미늄 확산, 낮은 온 상태 전압 강하, 높은 차단 전압

• 이중 음각 모양

• 패시베이션 보호 재료: SIPOS+GLASS+LTO

• 낮은 IL 및 폭넓은 적용

• 두꺼운 알루미늄 층과 손쉬운 접착

• 뛰어난 트리거 일관성