프레스 팩 IGBT
프레스팩 IGBT(IEGT)
| 유형 | VDRM V | VRRM V | I티(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700년 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000년 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350년 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000년 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
메모:D- d로아이오드 부분, A-다이오드 부분 없이
종래에는 플렉시블 DC 전송 시스템의 스위치 기어에 솔더 컨택트 IGBT 모듈이 적용되었습니다.모듈 패키지는 단면 방열입니다.장치의 전원 용량이 제한되어 직렬로 연결하기에 적합하지 않으며 염분 공기에서 수명이 짧고 진동 내충격 또는 열 피로가 약합니다.
새로운 유형의 프레스-컨택트 고전력 프레스-팩 IGBT 장치는 솔더링 프로세스의 빈 공간, 솔더링 재료의 열피로 및 단면 방열의 낮은 효율 문제를 완전히 해결할 뿐만 아니라 다양한 구성 요소 사이의 열 저항을 제거합니다. 크기와 무게를 최소화합니다.그리고 IGBT 장치의 작업 효율성과 신뢰성을 크게 향상시킵니다.유연한 DC 전송 시스템의 고전력, 고전압, 고 신뢰성 요구 사항을 충족시키는 데 매우 적합합니다.
프레스 팩 IGBT로 솔더 접점 유형을 대체하는 것이 필수적입니다.
루나우전자는 2010년부터 신형 프레스팩 IGBT 소자 개발에 공을 들였고 2013년 양산에 성공했다.
이제 우리는 600A ~ 3000A의 IC 범위와 1700V ~ 6500V의 VCES 범위의 시리즈 프레스 팩 IGBT를 제조 및 제공할 수 있습니다.중국산 프레스팩 IGBT가 중국의 유연한 DC 전송 시스템에 적용될 것이라는 화려한 전망이 기대되며 고속전철에 이어 중국 전력전자산업의 또 하나의 세계적인 이정표가 될 것이다.
일반적인 모드의 간략한 소개:
1. 모드: 프레스 팩 IGBT CSG07E1700
●포장 및 압착 후의 전기적 특성
● 반전평행한연결된빠른 복구 다이오드결론
● 매개변수：
정격값(25℃)
ㅏ.컬렉터 이미터 전압: VGES=1700(V)
비.게이트 이미터 전압: VCES=±20(V)
씨.컬렉터 전류: IC=800(A) ICP=1600(A)
디.수집기 전력 손실: PC=4440(W)
이자형.작동 접합 온도: Tj=-20~125℃
에프.저장 온도: Tstg=-40~125℃
참고: 정격 값을 초과하면 장치가 손상됩니다.
전기 같은C특징, TC=125℃，Rth (내열성에 접합사례）포함되지
ㅏ.게이트 누설 전류: IGES=±5(μA)
비.컬렉터 이미터 차단 전류 ICES=250(mA)
씨.콜렉터 이미터 포화 전압: VCE(sat)=6(V)
디.게이트 이미터 임계 전압: VGE(th)=10(V)
이자형.켜기 시간: Ton=2.5μs
에프.끄기 시간: Toff=3μs
2. 모드: 프레스 팩 IGBT CSG10F2500
●포장 및 압착 후의 전기적 특성
● 반전평행한연결된빠른 복구 다이오드결론
● 매개변수：
정격값(25℃)
ㅏ.컬렉터 이미터 전압: VGES=2500(V)
비.게이트 이미터 전압: VCES=±20(V)
씨.컬렉터 전류: IC=600(A) ICP=2000(A)
디.수집기 전력 손실: PC=4800(W)
이자형.작동 접합 온도: Tj=-40~125℃
에프.저장 온도: Tstg=-40~125℃
참고: 정격 값을 초과하면 장치가 손상됩니다.
전기 같은C특징, TC=125℃，Rth (내열성에 접합사례）포함되지
ㅏ.게이트 누설 전류: IGES=±15(μA)
비.컬렉터 이미터 차단 전류 ICES=25(mA)
씨.콜렉터 이미터 포화 전압: VCE(sat)=3.2(V)
디.게이트 이미터 임계 전압: VGE(th)=6.3(V)
이자형.켜기 시간: Ton=3.2μs
에프.끄기 시간: Toff=9.8μs
g.다이오드 순방향 전압: VF=3.2V
시간.다이오드 역회복 시간: Trr=1.0μs
3. 모드: 프레스 팩 IGBT CSG10F4500
●포장 및 압착 후의 전기적 특성
● 반전평행한연결된빠른 복구 다이오드결론
● 매개변수：
정격값(25℃)
ㅏ.컬렉터 이미터 전압: VGES=4500(V)
비.게이트 이미터 전압: VCES=±20(V)
씨.컬렉터 전류: IC=600(A) ICP=2000(A)
디.수집기 전력 손실: PC=7700(W)
이자형.작동 접합 온도: Tj=-40~125℃
에프.저장 온도: Tstg=-40~125℃
참고: 정격 값을 초과하면 장치가 손상됩니다.
전기 같은C특징, TC=125℃，Rth (내열성에 접합사례）포함되지
ㅏ.게이트 누설 전류: IGES=±15(μA)
비.컬렉터 이미터 차단 전류 ICES=50(mA)
씨.콜렉터 이미터 포화 전압: VCE(sat)=3.9(V)
디.게이트 이미터 임계 전압: VGE(th)=5.2(V)
이자형.켜기 시간: Ton=5.5μs
에프.끄기 시간: Toff=5.5μs
g.다이오드 순방향 전압: VF=3.8V
시간.다이오드 역 복구 시간: Trr=2.0μs
메모:Press-pack IGBT는 장기적으로 높은 기계적 신뢰성, 손상에 대한 높은 저항성 및 압입 연결 구조의 특성이 장점이며 직렬 장치에 사용하기 편리하며 기존의 GTO 사이리스터에 비해 IGBT는 전압 구동 방식입니다. .따라서 작동이 쉽고 안전하며 작동 범위가 넓습니다.