1.IEC 표준은 사이리스터, 다이오드 성능을 특성화하는 데 사용되었으며 몇 가지 매개변수를 특징으로 하지만 사용자는 종종 10개 정도를 사용합니다. 이 기사에서는 주요 매개변수의 사이리스터/다이오드를 간략히 설명합니다.
2.평균 순방향 전류 IF(AV)(정류기)/평균 온 상태 전류 IT(AV)(사이리스터): 장치의 최대 하프 사인을 통해 흐르도록 허용될 때 방열판 온도 또는 케이스 온도 TC THS로 정의됩니다. 파동 평균.이 시점에서 접합부 온도는 최대 허용 온도 Tjm에 도달했습니다.LMH사 제품 매뉴얼은 방열판 온도 THS 또는 케이스 온도 TC 값에 해당하는 적절한 상태 전류를 제공하며, 사용자는 실제 온 상태 전류 및 열 조건을 기준으로 장치의 적절한 모델을 선택해야 합니다.
3. 순방향 제곱근 평균 제곱 전류 IF(RMS)(정류기)/온 상태 RMS 전류 IT(RMS)(사이리스터): 장치의 최대 전류를 통과할 때 방열판 온도 또는 케이스 온도 TC THS로 정의됩니다. 유효 전류 값.사용 시 사용자는 어떤 조건에서도 장치 케이스 온도를 통해 흐르는 RMS 전류가 해당 제곱 평균 제곱근 전류 값을 초과하지 않도록 해야 합니다.
4.서지 전류 IFSM(정류기), ITSM(SCR)
예외적인 상황에서의 작업을 나타내며 장치는 순간 최대 과부하 전류 값을 견딜 수 있습니다.10ms 하프 사인파 제품 설명서에 LMH가 주어지는 최대 돌입 전류 값은 장치의 최대 허용 접합 온도가 80% VRRM 미만인 조건에서 테스트 값입니다.장치의 수명 동안 돌입 전류를 견딜 수 있는 사용자의 수가 제한되어 있으므로 과부하를 피하도록 노력해야 합니다.
5.비반복 피크 오프 상태 전압 VDSM / 비반복 피크 역전압 VRSM: 사이리스터 또는 정류기 다이오드가 최대 브레이크오버 전압을 견딜 수 있는 차단 상태를 말하며 일반적으로 장치 손상을 방지하기 위해 단일 펄스 테스트를 사용합니다.테스트 또는 적용 시 사용자는 장치 손상을 방지하기 위해 장치에 적용되는 전압을 금지해야 합니다.
6. 반복 피크 오프 상태 전압 VDRM / 반복 피크 역 전압 VRRM: 장치가 차단 상태에 있음을 의미하며, 오프 상태 및 역은 최대 반복 피크 전압을 견딜 수 있습니다.일반적으로 장치는 전압 90% 표시를 반복하지 않습니다(비반복 전압 고전압 장치는 100V 덜 표시됨).사용 중인 사용자는 어떤 경우에도 장치가 실제 전압이 오프 상태 및 반복 피크 역전압을 초과하지 않도록 해야 합니다.
7.반복 피크 오프 상태(누설) 전류 IDRM / 반복 피크 역방향(누설) 전류 IRRM
차단 상태의 사이리스터, 반복 피크 오프 상태 전압 VDRM 및 VRRM 반복 피크 역 전압을 견디기 위해 구성 요소 피크 드레인 전류를 통해 순방향 및 역방향 흐름.이 매개변수를 사용하면 장치가 측정된 최대 접합 온도 Tjm에서 작동할 수 있습니다.
8.피크 온 전압 VTM(SCR) / 피크 ​​순방향 전압 VFM(정류기)
미리 정해진 순방향 피크 전류 IFM(정류기) 또는 피크 전류 상태 ITM(SCR)에 의한 장치를 말하며 피크 전압은 피크 전압 강하라고도 합니다.이 매개변수는 장치의 온 상태 손실 특성을 직접 반영하여 장치의 온 상태 전류 정격 용량에 영향을 미칩니다.
온 상태(순방향) 피크 전압에서 서로 다른 전류 값의 장치는 임계 전압 및 슬로프 저항으로 근사할 수 있습니다.
VTM = VTO + rT * ITM VFM = VFO + rF * IFM
각 기종별 제품 매뉴얼에 Run Austrian 회사는 디바이스의 최대 온 상태(forward) 피크 전압과 임계 전압 및 슬로프 저항이 제공되며, 사용자가 필요로 하는 디바이스 임계 전압 및 측정된 저항의 슬로프를 제공할 수 있습니다. 값.
9.회로 정류 종료 시간 tq(SCR)
지정된 조건에서 사이리스터의 주 전류는 0 이상으로 순방향 강하하고, 제로 크로싱에서 무거운 요소 전압을 견딜 수 있도록 대신 최소 시간 간격을 돌립니다.사이리스터 끄기 시간 값은 테스트 조건에 따라 결정되며 Run Austrian 회사에서 제조한 고속 고주파 사이리스터 장치는 각 측정 값의 끄기 시간을 제공하며 특별히 설명하지 않으며 해당 조건은 다음과 같습니다.
ITM 상태 피크 전류는 장치 ITAV와 같습니다.
온 상태 전류 감소율 di / dt = -20A/μs;
더 높은 전압 상승률 dv / dt = 30A/μs;
역 전압 VR = 50V;
접합 온도 Tj = 125℃
오프 타임 테스트 값에서 특정 적용 조건이 필요한 경우 당사에 요청할 수 있습니다.
10. 온 상태 전류 di/dt(SCR)의 임계 상승률
차단 상태에서 온 상태로의 사이리스터를 말하며, 사이리스터는 온 상태 전류의 최대 상승률을 견딜 수 있습니다.이 장치는 큰 충격에 의해 온 상태 전류 임계 상승 속도 di / dt 게이트 트리거 조건을 견딜 수 있으므로 사용자가 애플리케이션 트리거, 트리거 펄스 전류 진폭: IG ≥ 10IGT를 사용하는 것이 좋습니다.펄스 상승 시간: tr ≤ 1μs.
10. 오프 상태 전압의 임계 상승률 dv/dt
지정된 조건에서 최대 허용 순방향 전압 상승 속도를 변환하는 사이리스터가 꺼짐 상태에서 켜짐 상태로 전환되지 않습니다.Run 오스트리아 회사 제품 매뉴얼은 사용자 dv / dt가 특별한 요구 사항을 가질 때 모든 종류의 사이리스터 dv / dt 값 중 가장 작은 값을 제공하며 주문시 만들 수 있습니다.
11. 게이트 트리거 전압 VGT / 게이트 트리거 전류 IGT
지정된 조건 하에서 필요한 최소 게이트 전압 및 게이트 전류에 의해 사이리스터가 꺼진 상태가 되도록 합니다.사이리스터는 개방 시간 동안 열리며, 개방 손실 및 기타 동적 성능은 큰 충격에 대한 게이트 트리거 신호 강도에 적용됩니다.사이리스터를 트리거하기 위해 더 중요한 IGT를 적용하는 경우 사이리스터는 좋은 개방 특성을 얻지 못하게 하고 경우에 따라 조기 고장이나 장치 손상을 유발하기도 합니다.따라서 강력한 트리거 모드, 트리거 펄스 전류 진폭을 사용하는 사용자 애플리케이션을 권장합니다: IG ≥ 10IGT;펄스 상승 시간: tr ≤ 1μs.장치의 안정적인 작동을 보장하려면 IG가 IGT보다 훨씬 커야 합니다.
12. 크러스트 저항 Rjc
지정된 조건 하에서 장치를 말하며 장치는 정션에서 케이스로 흐르고 와트당 온도 상승이 발생합니다.크러스트 저항은 장치의 열 용량을 반영하며 이 매개변수는 장치 상태 정격 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.평면 냉각 장치에 대한 Run 오스트리아 회사 제품 설명서는 반도체 전원 모듈의 정상 상태 열 저항을 보여주고 단면 냉각에 열 저항을 제공합니다.사용자는 크러스트 요구 사항을 충족하기 위해 장치의 열 저항을 보장하기 위해 권장 장착 힘 설치에 대한 설명서에 따라서만 설치 조건에 의해 직접적으로 영향을 받는 크러스트 열 효과의 평평한 부분에 유의해야 합니다.