Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co가 용접 다이오드 생산에 적용한 표준 참조는 다음과 같습니다.
1. GB/T 4023-1997 반도체 장치 및 집적 회로의 이산 장치 2부: 다이오드 정류기
2. GB/T 4937-1995 반도체 장치용 기계 및 기후 시험 방법
3. JB/T 2423—1999 전력 반도체 장치 – 모델링 방법
4. JB/T 4277-1996 전력 반도체 소자 패키징
5. JB/T 7624-1994 정류기 다이오드 테스트 방법
모델 및 크기
1. 모델명 : 용접다이오드의 모델은 JB/T 2423-1999의 규정을 참조하며 모델의 각 부분의 의미는 아래 그림 1과 같다.
2. 그래픽 기호 및 터미널(서브) 식별
그림 2에는 그래픽 기호와 단자 식별이 나와 있으며 화살표는 음극 단자를 가리킵니다.
3. 형상 및 설치치수
용접된 다이오드의 모양은 볼록하고 원반형이며 크기가 있는 모양은 그림 3 및 표 1의 요구 사항을 충족해야 합니다.
안건 | 치수(mm) | ||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
음극 플랜지(Dmax) | 61 | 76 | 102 |
음극 및 양극 메사(D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
세라믹 링의 최대 직경(D2최대) | 55.5 | 71.5 | 90 |
총 두께(A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
장착 위치 구멍 | 구멍 직경: φ3.5±0.2mm, 구멍 깊이: 1.5±0.3mm |
등급 및 특성
1. 매개변수 수준
일련의 역반복피크전압(VRRM)은 표 2와 같다.
표 2 전압 레벨
VRRM(V) | 200 | 400 |
수준 | 02 | 04 |
2. 한계값
제한 값은 표 3을 준수하고 전체 작동 온도 범위에 적용됩니다.
표 3 한계값
한계값 | 상징 | 단위 | 값 | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
케이스 온도 | 티케이스 | ℃ | -40~85 | |||
등가 접합 온도(최대) | T(동사) | ℃ | 170 | |||
보관 온도 | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
반복 피크 역 전압(최대) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
역 비반복 피크 전압(최대 | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
순방향 평균 전류(최대) | I에프(AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
순방향(비반복) 서지 전류(최대) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
I²t(최대) | I²t | kA² | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
장착력 | F | kN | 22~24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. 특성 값
표 4 최대 특성 값
성격과 상태 | 상징 | 단위 | 값 | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
순방향 피크 전압IFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
역 반복 피크 전류Tj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
열 저항 Junction-to-case | Rjc | ℃/W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
참고: 특별 요구 사항에 대해서는 상담하십시오. |
그만큼용접 다이오드Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor에서 생산하는 저항 용접기, 최대 2000Hz 이상의 중, 고주파 용접기에 널리 적용됩니다.매우 낮은 순방향 피크 전압, 매우 낮은 열 저항, 최첨단 제조 기술, 우수한 대체 능력 및 전 세계 사용자를 위한 안정적인 성능을 갖춘 Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor의 용접 다이오드는 중국 전력에서 가장 신뢰할 수 있는 장치 중 하나입니다. 반도체 제품.
게시 시간: 2023년 6월 14일