양방향 사이리스터는 NPNPN 5층 반도체 재료로 만들어지며 3개의 전극이 리드 아웃됩니다.양방향 사이리스터는 두 개의 단방향 사이리스터의 역 병렬 연결과 동일하지만 제어 극은 하나뿐입니다.
양방향 사이리스터의 볼트 암페어 특성 곡선은 대칭입니다.
T양방향 사이리스터의 양극과 음극 특성은 대칭적이며 모든 방향으로 전도될 수 있으므로 이상적인 AC 스위칭 장치입니다.
양방향 사이리스터는 단방향 사이리스터와 마찬가지로 트리거 제어 특성을 가지고 있지만 큰 차이가 있습니다.양극과 음극 사이에 어떤 극성 전압이 연결되어 있든 관계없이 트리거 펄스가 전압의 극성에 관계없이 제어 전극에 추가되는 한 양방향 사이리스터는 직접 전도될 수 있습니다.그리고 이것은 양방향 사이리스터의 두 주 전극의 양극과 음극 사이에 구별이 없음을 의미합니다.그리고 양의 첨두 전압과 역 첨두 전압 사이에는 차이가 없고 하나의 최대 첨두 전압만 있습니다.양방향 사이리스터의 다른 파라미터는 단방향 사이리스터와 동일합니다.보통 P형 반도체 물질과 연결된 주전극을 T1 전극, N형 반도체 물질과 연결된 전극을 T2 전극이라고 부른다.그리고 양방향 사이리스터의 두 주요 전극은 양극과 음극 사이에 차이가 없습니다.
현재 Yangjie Runao Semiconductor는 다년간의 성숙한 생산 경험과 기술 팀의 전담 연구 개발을 통해 1300A 4500V, 1060A 6500V, 135A 8500V 양방향 사이리스터를 성공적으로 개발했습니다.매개 변수 지표는 세계 수준에 도달했으며 지금까지 유사 제품의 국내 대체를 실현할 수 있습니다.그만큼성능은 최종 사용자가 검증했으며 고객은 높은 만족을 얻었습니다.
앞으로도 회사는 글로벌 파트너에게 더 많은 상용 솔루션을 제공하고 더 많은 가치를 창출하고 더 나아가 세계가 중국 반도체를 신뢰하도록 만들기 위해 더 많은 고전력 양방향 사이리스터를 계속 개발할 것입니다.
게시 시간: 2021년 8월 13일