Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co.Ltd는 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. Ltd.의 일부로서 고전력 반도체 장치를 전문적으로 제조하는 회사입니다. 이 회사는 고전력 설계, 개발, 검사 및 생산을 위해 첨단 제조 기술을 지속적으로 도입하고 적용하고 있습니다. 글로벌 고객을 위한 사이리스터, 정류기, 전원 모듈 및 전원 조립 장치.

산업 응용 분야에서 중주파 유도 가열 기술의 인기로 인해 금속 공작물 담금질 및 침투 열처리를 위해 4-8KHz, 전력 100-1000KW 유도 가열 장비를 사용해야 하는 경우가 점점 더 많아지고 있습니다.당사에서 생산하는 고주파 사이리스터 KA 시리즈는 자동차, 베어링, 철도 시스템 등 다양한 산업 분야에서 사용되고 있습니다.

1. 주요 종의 기술 사양:

2. 성능 특성:

• 전체 확산 구조
• 분산 게이트 설계
• 탁월한 동적 성능
• 우수한 고주파 성능, 2.5KHz-10kHz
• 빠른 스위칭 성능
• 낮은 스위칭 손실

3. 이용 포인트

1).강력한 방아쇠 조치를 사용하십시오.장치의 di/dt 성능, 턴온 시간 및 턴온 손실은 게이트 트리거 펄스에 의해 크게 영향을 받습니다.게이트 트리거 조건을 사용하는 것이 좋습니다. 게이트 트리거 전류 진폭 IG = 10IGT;게이트 전류 상승 시간 tr은 1μs 미만입니다.

2).직렬 및 병렬 연결고주파 사이리스터.고전력 고주파 인버터 회로에서 여러 고주파 부품을 직렬 또는 병렬 연결로 사용하면 더 나은 고주파 전력 성능을 얻을 수 있습니다.장치 선택은 장치 시리즈 및 병렬 일치 요구 사항 제조업체에서 수행해야 합니다.

3. 고주파 응용 분야에서는 고주파 전류에 의해 유도된 장치의 자기장이 금속 재료에 작용할 것이라는 점에 주의해야 합니다.그리고 장치 자체의 장착 나사와 브래킷은 유도 가열 효과에 의해 유도됩니다.